在最新發布的《The McClean Report》上，對中國IC產業的發展做了三個階段的分析。從對階段三的分析，我們可以看到中國自2014年推行半導體建設以來面對的一些成功和挫折。

根據中國政府的設想，他們不但想在IC器件上實現自給自足，其更長遠的而目標是到了2025年，其IC的自給率會提升到40%，而到了2025年，這個數字會上升到70%。但我們認為這種想法過于天真。由于缺乏相關的技術、材料，中國的IC建設將會困難重重。

舉個例子，在20世紀80年代，美國政府嘗試去確保軍事用途IC生產過程涉及的晶圓制造、封裝材料和半導體設備中的每一項都應該有美國本土的供應商。這是30多年前的事情，當時的IC制造比現在簡單得多，但最終因為很難覆蓋生產的方方面面，因此整個計劃最后告終了。

我們也明白到，中國制造2025成功的關鍵在于資金和技術。但我們認為在這些領域，中國很難獲得他們所預想的成功。詳細分析，資金不會是問題，因為中國政府推行了一個200億美元的基金去推動IC產業的建設，另外還有近千億美元的地方和私募基金的支持。這些錢足以支持中國建設至少十家高容量的300mm IC制造fab。另外我們也應該看到，由于中國的長期半導體建設計劃，相關的設備公司在未來的數年將會從中收益。

ICinsights認為阻礙中國制造2025成功的最大障礙應該就是收購Fab所需的先進技術。

從2014年開始，中國為了發展半導體產業，在全球掀起了收購熱潮，在早期的時候，在收購ISSI和豪威的時候取得了不錯的成果，但現在美國等政府意識到了中國半導體的野心，因此提高了警惕和審核，中國未來的收購將會變得越來越艱難。換句話說，中國想通過收購先進技術和公司發展自身半導體產業的窗口已經關閉。

中國現在的IC FAB建設熱潮不減，但是應用在其中的技術相較于市場的領先者，落后至少兩個世代。類似長江存儲、福建晉華集成電路和HLMC等廠，就是其中的代表。

雖然這些公司獲得了充分的資金支持，并建設起了其廠房，但是他們都沒有相關的技術去與業界先進競爭。

從早前的報道我們可以看到，中國建設了新的FAB之后，向三星、SK海力士和Intel的中國工廠招攬人才，這是中國發展本土半導體產業的方法。按照他們的寄望，這些先進公司的員工將會帶來先進的IC制程知識和經驗。但IC insights的觀點認為，從發展制程技術的角度看，這是一種冒險。

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